本发明揭示一种反及闸型快闪存储装置的制造方法。在具有第一、第二及第三区的半导体基底上形成一第一栅极氧化层，其中对应于第一及第二区的第一栅极氧化层具有第一厚度，而对应于第三区的第一栅极氧化层具有第二厚度。在第二及第三区的第一栅极氧化层上分别形成一第一栅极层及一第二栅极层。对第一区的第一栅极氧化层进行氧化处理，以形成具有第三厚度的一第二栅极氧化层。在第二栅极氧化层上依序形成一第三栅极层及一栅极间介电层。在第一栅极层、第二栅极层及栅极间介电层上分别形成一第四栅极层、一第五栅极层及一第六栅极层。