本发明公开了一种金属硬质掩模结构的修复方法，对产生金属硬质掩膜层缺陷的半导体器件，通过刻蚀及化学机械研磨去除器件中有缺陷的金属层间介质层，使其回到制备该层金属层间介质层的初始结构，完成对金属硬质掩膜层缺陷的修复，然后返回正常工艺流程，从低k值介质层开始按顺序重新生长整个金属层间介质层；该方法避免了因刻蚀过程中产生的金属硬质膜层致命缺陷造成的产品报废，节约了生产成本，同时不影响电性能、良品率以及器件可靠性。