本发明一般涉及CMOS半导体器件制造工艺，更确切的说，涉及一种U型沟槽的制造方法，包括以下步骤：沉积一氧化硅层覆盖所述多晶硅栅极的表面及所述硅基板暴露的上表面，去除位于所述硅基板暴露上表面的氧化硅层并于多晶硅栅极表面形成一阻挡层；步骤S2、进行图形化离子注入工艺，于所述硅基板中形成多个掺杂硅区；步骤S3、刻蚀所述掺杂硅区，形成U型硅沟槽后，去除所述阻挡层。本发明在U型槽形成过程中很好的保护硅基板和多晶硅栅极，在所需刻蚀的U型槽掺杂了高剂量离子，然后用热磷酸进行湿法刻蚀极大加快了刻蚀速率，提升了生产效率，同时还可通过控制注入离子量来控制沟槽的深度。