本发明涉及去耦电容器及其布局。其中，一种器件，包括具有第一掺杂类型的第一和第二注入区域的半导体衬底。将栅极绝缘层和栅电极提供到在第一和第二注入区域之间的电阻区域的上面。第一介电层在第一注入区域上。提供接触结构，包括与栅电极导电接触的第一接触部分，至少部分该第一接触部分直接在栅电极上。第二接触的部分直接接触第一接触部分，并且直接形成在第一介电层上。第三接触部分形成第二注入区域上。