本发明公开了一种用于RF-LDMOS器件的新型栅结构，本发明在传统的栅结构上覆盖了一层栅极扩展层（其材料可以是重掺杂的半导体，例如多晶硅，或者金属硅化物或者甚至是金属），栅的宽度取决于LDMOS的最小栅长，这一长度是随着工艺特征尺度的减小而不断减小的，但是在相同栅宽情况下，LDMOS的栅电阻就会不断增加。本发明在栅上面增加了一层栅极扩展层，其宽度可以比较宽，其能够减小在相同栅宽情况下的栅电阻，从而提高功率增益。