本发明公开了一种基于二氧化铪的电子束光刻套刻标记，属于半导体器件微纳制造领域，其包括衬底和镀在衬底上的二氧化铪薄膜标记。本发明还提供了制作方法，具体为：（1）清洗衬底；（2）在衬底上旋涂电子抗蚀剂，通过电子束光刻工艺在电子抗蚀剂中形成套刻标记的图形阵列；（3）在电子抗蚀剂和衬底上蒸镀二氧化铪薄膜；（4）剥离附着在正性电子抗蚀剂的二氧化铪薄膜，得到二氧化铪标记。本发明采用了耐高温、粘附性好、价格低廉二氧化铪来制作电子束光刻的套刻标记。与传统的“钛+金”标记相比，降低了工艺成本，解决了金标记与Si衬底粘附性不好问题，提高套刻标记对衬底的粘附性和高温承受能力，保持了较高的套刻精度。