本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层的方法，包括：具有NMOS区域与PMOS区域的半导体器件，其中，对PMOS区域上的高拉应力氮化硅层进行二次刻蚀，第一次为对PMOS区域上高拉应力氮化硅层进行部分干法刻蚀，使PMOS区域上残留部分高拉应力氮化硅层；第二次为对PMOS区域上的高拉应力氮化硅层3进行远端等离子体化学的刻蚀，将残留部分的高拉应力氮化硅层完全移除，同时使NMOS区域上未被光刻阻挡层覆盖的高拉应力氮化硅层侧面也被刻蚀一部分。通过使用本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层的方法，有效地改善了PMOS区域上方的高拉应力氮化硅层去除的方法，使高拉应力氮化硅层与高压应力氮化硅层之间的交叠区域平整，同时该方法能够很好的处理不同应力SiN薄膜的交叠区域，从而提高产品良率。