本发明涉及一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法，依次包括晶体抛光清洗、注入氧离子、退火、注入铒离子、退火的步骤最终得到掺铒碳化硅波导。通过将SOI半导体工艺应用于制备掺铒碳化硅光波导的二氧化硅下包层的过程，生成一层进化学计量比的二氧化硅埋层，与掺铒碳化硅波导芯层之间的折射率差值较大。在掺铒碳化硅波导芯层中，铒离子浓度呈高斯分布，掺铒碳化硅波导芯层中间部分的铒离子浓度最高，有效增强铒离子的荧光发光效率，提高光增益。通过调整注入能量和注入剂量可以实现精确控制注入铒离子的深度和浓度，可以避免由于注入的铒离子浓度过低导致的波导增益低以及过高导致的铒离子浓度猝灭效应。