本发明提供了一种用于含有互连金属的半导体晶片化学机械抛光的化学机械抛光组合物，它包含，作为初始成分的：水；唑类抑制剂；碱金属有机表面活性剂；水溶助剂；含磷试剂；水溶性纤维素；任选的非糖类水溶性聚合物；任选的化学式I的水溶性酸化合物，其中R选自氢和C_1-5烷基，并且其中x是1或2；任选的络合剂；任选的氧化剂；任选的有机溶剂；以及任选的磨料。另外，还提供了本发明化学机械抛光组合物的制备方法和对基材进行化学机械抛光的方法，包括：提供基材，其中基材是具有铜互连的半导体晶片；提供本发明的化学机械抛光组合物；提供化学机械抛光垫；施加0.69至34.5kPa的向下作用力，使化学机械抛光垫与基材之间界面处产生动态接触；以及在化学机械抛光垫与基材之间界面处或附近将化学机械抛光组合物分配到化学机械抛光垫上；其中化学机械抛光组合物的pH通过加入磷酸，氢氧化镁和氢氧化锂中的至少一种调整至pH为2至6。