一种抗反射涂层填充式超低介电常数之铜互连制造方法，包括：淀积无掺杂硅玻璃，并进行通孔光刻；一体化双大马士革结构刻蚀；金属铜填充制备工艺；化学机械研磨；湿法刻蚀去除所述作为过渡介质层的无掺杂硅玻璃，并形成电介质填充空间；填充所述抗反射涂层；对所述抗反射涂层进行等离子体刻蚀，使得抗反射涂层和金属铜填充之异于第一功能层的一侧具有同一水平面；淀积第二NDC阻隔层，完成当层铜互联结构。本发明采用无掺杂硅玻璃代替传统的Low-k电介质材料作为过渡介质层，并完成所述工艺，极大的扩充了蚀刻，湿法清洁，铜扩散保护层，铜填充和化学研磨等的工艺窗口，降低了对工艺设备的要求，节省生产成本，提高了半导体器件的电性和可靠性。