本发明提供的一种有效判定铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，包括以下步骤：在半导体器件介质层上形成接触孔和金属层所需的沟槽结构；沉淀阻挡层并在沟槽结构中淀积铜形成金氧半场效晶体管；步骤6，通过测量器件的电学特性是否符合预定标准，如是，阻挡层具有阻挡能力；如否，重新进行步骤4至6。本发明的方法比现有的方法更加有效的监控判定和评估。并能准确的对扩散阻挡层的质量和厚度进行有效的评估，从而对于Cu工艺的等比例缩小提供准确的数据。