本发明公开了一种制作凹入式沟道存取晶体管器件的方法。首先，提供一半导体衬底，其上具有一凹槽蚀入其主表面中。之后形成一栅极介电层在所述凹槽的内表面。再于之后形成一凹入式栅极在所述凹槽之中与之上。所述凹入式栅极包含一嵌入所述凹槽中与所述主表面下的凹入式栅部以一位在所述主表面上方的上栅部。所述凹入式栅极的一裸露侧壁会受到等向性蚀刻，因而形成一宽度小于所述凹入式栅部的经修整颈部。之后所述经修整颈部的一裸露侧壁会被氧化。