本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种消除侧墙宽度负载效应的工艺。本发明提出一种消除侧墙宽度负载效应的工艺，通过调节主刻蚀工艺中的气体组成及比例、反应腔室压力和射频功率等条件，使得刻蚀工艺特性发生反转，从而能有效的补偿氮化硅薄膜在化学气相沉积时产生的负载效应，最终消除了侧墙制备时的负载效应，进而在图形空旷区域和图形密集区域形成的侧墙宽度接近，从而扩大了器件的工艺窗口，保证了器件稳定的电学性能。