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一种三层结构的掺钼TiO2光催化薄膜及其制备方法
编号:S000021222 刷新日期: 有效日期至:2020-10-15 浏览:2210 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明属于光催化薄膜技术领域,具体为一种三层结构的掺钼TiO2光催化薄膜及其制备方法。三层结构中,底层为高浓度掺钼TiO2薄膜,中间为低浓度掺钼TiO2薄膜,顶层为纯TiO2薄膜;本发明利用多靶射频磁控共溅射技术原位制备三层结构的钼掺杂TiO2薄膜,制膜过程在真空室中一次完成,方法简便高效,适合大面积的工业化生产。本发明以钼的掺杂浓度来控制各层的费米能级,利用层与层间的费米能级差在薄膜内植入了多个可调制的内建电场,实现了高浓度掺杂半导体在可见光下大量电子-空穴对的迅速分离,最终得到在可见与紫外波段光催化性能优异的薄膜。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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