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> 技术详情
一种三层结构的掺钼TiO
2
光催化薄膜及其制备方法
编号:S000021222
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-15
浏览:
2271
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明属于光催化薄膜技术领域,具体为一种三层结构的掺钼TiO
2
光催化薄膜及其制备方法。三层结构中,底层为高浓度掺钼TiO
2
薄膜,中间为低浓度掺钼TiO
2
薄膜,顶层为纯TiO
2
薄膜;本发明利用多靶射频磁控共溅射技术原位制备三层结构的钼掺杂TiO
2
薄膜,制膜过程在真空室中一次完成,方法简便高效,适合大面积的工业化生产。本发明以钼的掺杂浓度来控制各层的费米能级,利用层与层间的费米能级差在薄膜内植入了多个可调制的内建电场,实现了高浓度掺杂半导体在可见光下大量电子-空穴对的迅速分离,最终得到在可见与紫外波段光催化性能优异的薄膜。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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