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> 技术详情
一种T型栅结构的MOS晶体管
编号:S000021217
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-17
浏览:
2545
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 四川
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管(T_gate MOS),属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽,使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度,同时具有和三栅器件(Tri_gate MOS)相当的抑制漏致势垒降低效应(DIBL)等短沟道效应(SCE)的优点;与三栅器件相比,T_gate MOS可以在抑制短沟道效应的基础上有效提高驱动电流。因此,T_gate器件能够实现驱动电流更大而漏电较小的效果。本发明工艺与传统MOSFET器件兼容,有利于改善短沟道效应并提高驱动能力,不仅适用于45纳米工艺节点以下的小尺寸器件,还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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