本发明提供的一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法，包括形成硅纳米线场效应晶体管区域，并在顶层硅和埋氧层之间形成空洞层，在空洞层上方的顶层硅上制备出硅纳米线；沉淀绝缘介质层，并填充顶层硅下方的空洞层；磨平绝缘介质层，使得源漏衬垫上方的绝缘介质层厚度为20~200nm；刻蚀栅极区域的绝缘介质层，直至露出埋氧层；刻蚀源漏衬垫区并保留底部的部分顶层硅；在源漏衬垫区域生长碳硅层，同时进行源漏区域原位掺杂；进行金属硅合金工艺，及接触孔工艺，将源、漏、栅极引出。本发明有效增大N-SiNWFET的电流驱动能力；避免了半导体纳米线中间部位可能发生的错位，甚至断裂问题；不需要栅极侧墙工艺，简化了工艺流程。