本发明公开了一种垂直结构双工作模式紫外探测器及其制备方法，该垂直结构双工作模式紫外探测器包括衬底、缓冲层、欧姆电极、宽禁带半导体光吸收层、肖特基电极、绝缘介质钝化层、接触电极，其中，垂直结构双工作模式紫外探测器工作时：接触电极与欧姆电极加反向偏压或不加偏压时，垂直结构双工作模式紫外探测器工作在耗尽模式；当接触电极与欧姆电极加正向偏置电压时，垂直结构双工作模式紫外探测器的工作模式从肖特基势垒型的耗尽模式转变为光电导模式，垂直结构双工作模式紫外探测器表现出较高的增益，具体为增益因子>10。本发明的优点在于：具有工作可靠性高、制备工艺简单，无需刻蚀等优点。