本发明涉及一种清洁制剂和使用该清洁制剂的方法。具体地，本发明涉及一种在应用于包含铝的半导体衬底中用于除去光致抗蚀剂和蚀刻后/灰化后残留物的富含水的羟胺制剂。所述清洁组合物包含约2至约15重量％的羟胺；约50至约80重量％的水；约0.01至约5.0重量％的缓蚀剂；约5至约45重量％的选自如下物质的组分：pKa＜9.0的烷醇胺、水混溶性的溶剂及其混合物。使用这种组合物对于Al衬底显示出有效的清洁能力，最小的硅蚀刻，同时对于包含硅和铝两种材料的衬底保护铝。