一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)层在硅(Si)中引入应变形成应变硅(Si)，并利用浅槽隔离区(缩写为STI)记忆应变硅(Si)中的应变，然后去掉氮化硅(SiN)层，最后在该应变硅(Si)上外延锗(Ge)组分较高的锗硅(SiGe)层作为沟道，在上制作晶体管。本发明工艺简单，与传统的MOS工艺兼容，成本较低，沟道中Ge组分提高明显，不仅适用于90纳米工艺节点以下的小尺寸器件，还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。