一种氧化锡薄膜的制备方法，属于薄膜制备技术领域，本发明以锑的氟化物为掺杂源、以锡的氯化物为出发原料，经混合雾化后沉积在耐高温基板表面，以此形成一种透明且具有良好功能性的氧化锡薄膜，其氟-锑共掺杂，通过在SnO₂晶体结构中，氟离子替代部分氧离子位置、锑离子替代部分锡离子位置进行掺杂，形成更高的载流子密度，从而具有比单一氟掺杂或单一锑掺杂更优越的导电性、气氛敏感性、透过率等，是一种极具优势、潜力的半导体功能薄膜材料。