本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种基板制备方法，包括：形成防护层，对防护层进行处理，得到相应图形的防护层，并使防护层的表面粗糙化；在所述防护层的粗糙表面上生成金属层；对所述金属层进行曝光显影、以及湿法刻蚀进行构图。在形成防护层时，对防护层进行处理，可以使防护层的表面比较粗糙，在对防护层的粗糙表面上形成的金属层进行过刻时，刻蚀液可以通过防护层的粗糙表面上的坑洼处进行渗透，使刻蚀液可对金属层的底面进行刻蚀，发生侧面刻蚀，侧面刻蚀的发生能够提高刻蚀液对金属层的刻蚀速率，进而提高基板整体的产出效率。