本发明涉及半导体制造领域，具体的是一种解决薄膜剥落的方法。包括以下步骤：步骤一：在晶圆的上表面淀积一层氧化层；步骤二：在所述氧化层的上表面淀积一层高介质层；步骤三：在所述高介质层的上表面淀积一层抗反射层，所述抗反射层即钽的氧化物，如氧化钽，淀积所述抗反射层使用的射频发生器的功率为1000～2000W。现有工艺使用的射频发生器的功率4000～6000W，由于RF（Radio Frequency）射频功率与薄膜应力表现出较强的相关性，本发明优化了该工艺参数，减少了抗反射层与底部之间的界面应力，在现实生产中可以有效避免抗反射层脱落的问题。