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钯掺杂 TiO
2
纳米管阵列肖特基结氢敏传感器的制备方法
编号:S000021180
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-27
浏览:
2288
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了属于半导体气敏元件制备技术领域的一种钯掺杂二氧化钛纳米管阵列肖特基结氢敏传感器的制备方法。本发明是以金属钛丝为原料,采用阳极氧化法、热处理和微乳液阴极沉积法实现的。与现有技术相比,本发明的有益效果为:工艺简单、节省原料,体积小巧、工艺参数容易控制,对气氛没有特殊要求;微乳液沉积,使钯纳米粒子在二氧化钛纳米管表面及管壁均匀分布;金属钯在氢敏过程中是很好的催化剂,通过溢流效应,在增大灵敏度的同时,也降低了传感器的工作温度;点接触连接,极大增大了材料的比表面积,也起到增大灵敏度的作用。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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