本发明公开了一种贵金属新型金铋锗锡合金及其制备方法，属于电子封装材料领域。金合金的重量百分比化学成份为（重量％）：1.0～10.0Bi，1.0～10.0Ge，1.0～10.0Sn，1.0～5.0Sb，1.0～5.0Se，0.1～1.0Pd，0.1～1.0La，0.1～1.0In，余量为Au。其制备方法为：将金（Au）、铋（Bi）、锗（Ge）、锡（Sn）、锑（Sb）、硒（Se）、钯（Pd）、镧（La）、铟（In）等合金元素，按其合金化学成分设计配方比例配好，在真空高频或中频熔炼炉中制备成AuBiGeSnSbSePdLaIn多元合金，合金再通过浇铸成形、轧制、拉拔、热处理等工艺加工，最终形状为片状、板状、棒状、丝状等成品。该合金具有良好的润湿性、低熔点、耐腐蚀、无毒性、对人体无刺激性等特点，主要应用于半导体器件、集成电路、模块电路等封装和器件的焊接，具有广阔的应用前景。