本发明公开了一种横向双极晶体管包括沟槽发射极和沟槽集电极区，以制备极窄发射极区，从而提高发射极效率。利用相同的沟槽工艺，制备发射极/集电极沟槽以及沟槽隔离结构，从而无需使用额外的处理步骤，就能制备沟槽发射极和集电极。在本发明的实施例中，可以利用离子植入到形成在半导体层中的沟槽，制备沟槽发射极和沟槽集电极区。在其他实施例中，可以通过重掺杂多晶硅填充沟槽的掺杂物向外扩散，制备沟槽发射极和沟槽集电极区。