本发明涉及一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法，设定器件的实际材料结构、几何结构、掺杂参数，实现完整的器件模型；进行半导体特性数值计算，求解扩散漂移方程、泊松方程以及载流子连续方程，获取器件的电学特征曲线；开展单粒子效应器件模型关键电学参数校准，使器件电学符合理论预期；所述关键电学参数包括晶体管转移特性曲线和存储器延迟特性曲线。本发明提出了基于数值计算的单粒子效应截面获取方法，可以定位单粒子效应错误的位置，可以实现器件的布线、尺寸与器件工艺参数与单粒子效应敏感性的关系，可以在设计阶段就实现单粒子效应性能的验证。