本发明提供一种制作氧化物薄膜晶体管的方法，包含：依序于基板上形成栅极、半导体绝缘层以及金属氧化物层，接着于金属氧化物层上利用一灰阶光罩形成第一图案化光阻层，并以第一图案化光阻层作为罩幕形成一图案化金属氧化物层，并移除部分第一图案化光阻层来形成第二图案化光阻层，接着依序形成一金属层以及第三图案化光阻层，并以第三图案化光阻层为罩幕，对金属层进行蚀刻以形成源极区与漏极区，并暴露出第二图案化光阻层，以及移除第三图案化光阻层以及部分的第二图案化光阻层来形成一第四图案化光阻层。