本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种提高AlGaN基紫外LED发光效率的方法，该方法通过在c面蓝宝石表面沿[10-10]方向刻蚀三棱柱形的图形来提高AlN Buffer层的晶体质量，通过高温脉冲式原子层外延来提高AlN层的表面形貌。传统的flip chip 结构的AlGaN基LED采用镀布拉格光栅来提高光的提取率，这种方法不仅受材料的折射率的限制、成本高而且容易磨损和脱落；而本发明采用刻蚀亚波长光栅的方法，不仅设计和工艺简单，而且不容易磨损和脱落，并且有利于散热，从而可以提高器件的发光效率。