本发明公开了一种多铁材料p-n异质结及其制备方法，具体是指具有正向二极管整流特性的铁酸铽(TbFeO₃)的p-n异质结及其制备方法。本发明中该异质结由p型多铁材料TbFeO₃和n型半导体材料掺铌的硅片n-Si构成，其制备方法是通过固相烧结法制备TbFeO₃靶材，然后对衬底清洗，再射频磁控溅射沉积薄膜，最后进行沉积，并关闭加热器使衬底自然降至室温，即可制得铁酸铽p-n异质结。本发明的优点是异质结结构简单，且制备方法简单、可重复性好，制备的产品具有良好的二极管正向整流特性等。本发明的产品在室温下具有良好的二极管正向整流特性。