本发明涉及一种晶圆级LED封装方法，属于半导体封装技术领域。其方法包括步骤：提供具有正负电极（110）的LED芯片（100）；提供一个表面设置硅基型腔（210）、另一个表面设置硅通孔（220）的硅本体（200）；所述硅基型腔（210）内设置导电电极（300）；将LED芯片（100）倒装于导电电极（300）上；所述硅基型腔（210）的内填充光致发光层（400），所述光致发光层（400）覆盖LED芯片（100）的出光面；通过晶圆切割分离的方法形成单颗晶圆级LED封装结构。本发明提供了一种热阻低、散热性能好、提升出光效率、封装费用低、可以有效地拓宽LED的应用的晶圆级LED封装方法。