本发明公开了一种发光二极管芯片的外延层生长方法，属于半导体技术领域。该方法包括：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积方法依次生长不掺杂的GaN层、n型层、量子阱有源区层、p型层，所述量子阱有源区层的生长压力为600~750torr。本发明在外延层生长的过程中，外延层的材料会同时进行生长和裂解，通过将量子阱有源区层的生长压力设为600~750torr，增强了量子阱有源区层的材料的裂解效应，而较强的裂解效应使得材料的表面变得粗糙，有效增加了材料的横向生长效应，从而降低了材料中的缺陷密度，提高了发光二极管芯片的晶体质量和内量子效率，进而提高了发光二极管芯片的发光效率。