本发明提供一种低温多晶硅薄膜制造方法，在固相晶化环境温度保持550-700摄氏度的基础上增加一个或多个光子能量范围在2.5-5.0eV之间的光源。本发明在相对低的温度下，提高多晶硅薄膜的结晶率，减少缺陷态密度，用以制造低温多晶硅薄膜。本发明的多晶硅薄膜有较高的结晶率，以此生产的薄膜晶体管背板具有足够驱动AMOLED的迁移率和较高的均一性，生产高质量AMOLED面板的半导体薄膜材料得到保证。