本发明公开了一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料及其制备方法。主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含阻挡层(1)、La基高介电常数薄膜(2)和保护层(3)，其中，阻挡层(1)采用厚度为0.5-3nm的Al₂O₃；La基高介电常数薄膜(2)采用厚度为1-10nm的La₂O₃或LaAlO₃或HfLaO_x；保护层(3)采用厚度为1-5nm的Al₂O₃。整个材料采用原子层淀积方法制备。本发明的栅介质材料具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。