本发明提供一种光刻胶的去除方法，用于去除半导体衬底上的光刻胶层，所述光刻胶层经过离子注入工艺，包括：利用光学线宽仪，测量离子注入后掺杂的光刻胶层的厚度；利用离子注入工艺前的光刻胶层的厚度，减去掺杂部分的光刻胶层的厚度，获得未掺杂的光刻胶层的厚度；设置掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺参数，用于去除掺杂的光刻胶层；设置未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺参数，用于去除未掺杂的光刻胶层；在执行所述掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺和未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺时，实时反馈修正所述掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺和未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺时间。本发明能够精确地控制每一半导体衬底上的光刻胶层的刻蚀时间，提高产品的良率。