本发明提供一种发光原件的切割方法，先于半导体衬底表面制作包括多个发光外延单元的发光原件；然后依据各该发光外延单元从正面对所述发光原件发射多个激光脉冲，通过调整激光的焦距使所述多个激光脉冲穿透所述发光原件并在所述半导体衬底中形成由不同深度的多个切割孔组成的切割阵列；然后于各该发光外延单元制作电极制备出发光单元，最后依据所述切割阵列对所述发光原件进行裂片，以获得相互分离的多个发光单元。本发明具有深切割孔及浅切割孔，既保证了早后续的制程中晶片不容易破裂，又保证了在裂片过程中晶片的破裂效率，提高了晶片的破裂效率；而且由于有部分浅切割孔，可以降低切割孔对光线的吸收，提高发光效率。