本发明涉及一种超结MOSFET的制造方法。本发明通过以下步骤实现：提供n型重掺杂的n+衬底，并在n+衬底上形成n型外延层，之后形成p阱区、复合缓冲层；在硅片上生长场氧化层；通过光刻场氧化层界定出器件元胞区，以及预留部分场氧作为源区n+注入的阻挡层；生长栅氧化层，淀积多晶硅，并通过光刻界定出多晶硅栅极的区域；用多晶硅层及场氧层作为源区n型杂质离子注入的阻挡层，并进行推阱形成源区n+；与整个半导体硅片表面淀积介质层；通过光刻，界定出接触孔区域，并进行介质层刻蚀，刻蚀出接触孔；在介质层上淀积金属层，并刻蚀。本发明可以用传统的半导体制造工艺实现，不会增加工艺的难度，从而降低生产成本。