本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，形成在熔丝修调形状和介质层上，钝化层有对应修调结构的修调窗口和分别有对应连接垫的压点窗口。本发明还提供修调电阻的制造方法，利用熔丝修调形状在熔断区域中具有改变电流密度大小的修调结构，使修调结构处的熔丝有效横截面积偏小，电流密度偏大，熔断位置固定，熔断区域较小，同时使熔丝上的修调窗口开孔较小，以降低修调电阻上的修调窗口过大所导致的金属残留和化学残留等所引起的可靠性风险。