本发明公开了一种硅烯材料的制备方法，其步骤包括：1)在真空环境下，将适量半导体材料硅蒸发沉积到过渡金属基底上，所述过渡金属基底为铱的(111)面；2)对整个样品进行退火处理，以将覆盖在基底表面的硅相互作用，形成六角蜂窝状排布的二维有序膜状结构，从而获得硅烯材料。这种新型材料类似于石墨烯，在未来信息电子学及器件开发研究方面具有广泛的应用潜力。