一种具有埋入式字元线的DRAM结构及其制造方法与IC结构及其制造方法，其包括半导体基板、埋入于基板中并以第一闸介电层与基板相隔的记忆胞用字元线，以及埋入于基板中并以第二闸介电层与基板相隔的隔离字元线。记忆胞用字元线的顶面与隔离字元线的顶面低于基板的顶面。隔离字元线的底面低于记忆胞用字元线的底面。