本发明涉及半导体制造领域铜互连大马士革制造工艺，尤其涉及一种带有空气间隙的大马士革工艺。本发明一种带有空气间隙的大马士革工艺通过自对准工艺在金属互连线上形成金属保护层，并在金属互连线密集区域的金属互连线之间形成空气间隙，减少金属互连线间寄生电容，改善RC延迟问题。