本发明公开了一种锗硅多晶硅栅BiCMOS的半导体器件，该器件内部包含HBT及CMOS器件，其CMOS器件中PMOS及NMOS的栅极结构由栅氧化层、多晶硅及锗硅构成。本发明还公开了所述锗硅多晶硅栅BiCMOS器件的制造方法，制造HBT的基区时同步制作出CMOS的栅极，减少了一层掩膜版的使用，降低了制造工艺复杂度。