本发明公开了一种沟槽的填充方法，是在半导体器件制造过程中，采用两种应力相反的第一氧化硅薄膜和第二氧化硅薄膜在沟槽中循环淀积及回刻将沟槽填充完成。两种应力相反的氧化硅薄膜解决了不同氧化膜之间的应力匹配问题，同时满足大开口及深沟槽的填充需求。