本发明公开了一种金属沟槽刻蚀的方法，用于对半导体器件的第一层金属沟槽进行刻蚀，通过在第一主刻蚀步骤和第二主刻蚀步骤中间插入一步清洗步骤，以减少第一层金属沟槽刻蚀中产生的沟槽底部聚合物残留；该方法避免了因刻蚀过程中产生的金属沟槽底部聚合物残留导致的产品良品率降低，节约了生产成本，同时不影响电性能以及器件可靠性。