本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种离子注入阻挡层的制作方法。本发明提出一种离子注入阻挡层的制作方法，通过采用非晶态碳层作为离子注入工艺的阻挡层，不仅有效的起到阻挡作用，且能干净的去除，从而避免由于阻挡层去除不干净引进的工艺缺陷，进而有效提高产品良率。