一种可调制带隙宽度的Fe-Cr-Si三元非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。该薄膜材料具有如下通式：Fe₃Cr₁Si_x，x为8～18；随着x从8增加到18，带隙宽度从0增加到0.65eV，薄膜结构均为非晶态。该薄膜与普通的二元过渡金属硅化物薄膜相比有如下优点：①Fe₃Cr₁Si_x薄膜是一种新型的三元半导体非晶薄膜，可以做到从0到0.65eV较大范围内调制带隙宽度，Cr的作用不单可以影响带隙宽度，而且增加一个组元薄膜的非晶形成能力也会增加；②只要改变组合溅射靶中Fe₃Cr₁合金片的个数，即可方便地调整Fe₃Cr₁Si_x薄膜中Si的比例，进而获得不同带隙宽度；③Fe₃Cr₁Si_x薄膜均为非晶态，能够保证成分和性能均匀，有效回避晶态薄膜制备中的晶格失配以及多相混杂等问题。适宜制造近红外探测器等窄带隙半导体器件。