本发明公开了一种带双扩散的条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管包括一个半导体衬底、一个高掺杂源区、一个高掺杂漏区、一个双扩散源区、一个栅介质层和一个控制栅，所述控制栅为栅长大于栅宽的条形结构，控制栅的一侧与高掺杂漏区连接，控制栅的另一侧向高掺杂源区横向延伸，位于控制栅下的区域为沟道区，该控制栅的栅宽小于2倍的源耗尽层宽度，双扩散源区和高掺杂源区的掺杂区域一致，双扩散源区和高掺杂漏区的掺杂类型一致，位于高掺杂源区部分的控制栅下的沟道区有双扩散源掺杂杂质。本发明提高了TFET器件的性能且制备方法简单。