本发明涉及功率半导体器件，具体是一种SOI横向超结功率MOSFET器件。本发明解决了现有SOI横向超结功率MOSFET器件耐压低、以及自热效应严重的问题。SOI横向超结功率MOSFET器件包括p型衬底、设于p型衬底上端面的绝缘埋层、以及由横向交替分布的超结n区和超结p区构成的超结结构；绝缘埋层的上端面设有n型埋层；n型埋层的上端面设有p型外延层；p型体区和超结结构均设于p型外延层的上端面。本发明适于作为功率集成电路（PIC，PowerIntegratedCircuit）中的关键器件，并应用于电机控制、平板显示驱动、电脑外设控制等领域。