本发明涉及一种利用电子束蒸发制备双晶体氧化铟锡纳米线的方法。主要使用铟、锡比例为95:5的氧化铟锡颗粒为原料，硅片、铝箔或载玻片为衬底，用电子束蒸发的方法制备双晶氧化铟锡纳米线，在特定的参数下得到一定产率的纳米线材料，并具有可大面积制备，操作方便等优点。本发明制备的双晶纳米线，其两块晶体具有任意的取向关系，与通常的单晶或其他孪晶结构的纳米线相比，具有不同的力学、热学、光学和电学特性，因此在半导体光电子学，微纳电子学和高灵敏度传感器件中可有特殊的应用。