本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO₂层（2），在隐埋SiO₂层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次刻蚀露出隐埋SiO₂层（2）；第二次刻蚀保留SiGe掩蔽膜（3）右侧面积大的隐埋SiO₂层（2）；外延生长顶层硅膜（5）；生长栅氧化层（7），淀积多晶硅栅（8）；第三次刻蚀去除未涂胶部分的顶层硅膜（5）；第四次横向刻蚀去除保留的SiGe掩蔽膜（3a）；外延生长补全顶层硅膜（5），P⁺离子注入，淀积金属电极。本发明提供一种减少掩膜版使用，简化制作工艺流程，降低制作成本的利用牺牲层的SOI MOSFET体接触形成方法。