本发明公开一种嵌入式相变化存储器阵列，在P型半导体衬底的晶体管源极上的钨插塞上设置金属层，而晶体管汲极上的钨插塞上形成第一凹槽及第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽的底部；钨插塞端面之上依次形成第一侧墙、第二侧墙及第三侧墙，第二侧墙位于第一侧墙上，第三侧墙位于第二侧墙上，且第三侧墙延伸深入第二凹槽中；第一侧墙、第二侧墙及第三侧墙围成一空腔，空腔填满相变化存储器材料；相变化存储器材料上形成金属层。本发明还公开所述嵌入式相变化存储器阵列的制造方法。该制造方法工艺简单，且由该方法形成嵌入式相变化存储器阵列，有效降低转换相变化存储器单元状态所需要的电流。